[[Fil:BallisticDeflectionTransistor.jpg|thumb|right|300px|[[Differensforstærker]] baseret på [[MOSFET]]s (venstre) og på en BDT (højre).]]
En '''ballistisk transistor''' ('''BDT''' - forkortet fra engelsk ''Ballistic deflection transistors'') er en [[elektronisk komponent]], der er ved at blive udviklet for højhastigheds [[integrerede kredsløb]]. I stedet for at skifte strømmen af adskillige [[elektron]]er ved at anvende [[Gate (digital elektronik)|gates]], som det er gjort med [[MOSFET]]s, manipulerer BDTs kursen af de enkelte elektroner ved at anvende [[elektromagnetisme|elektromagnetiske kræfter]]. De frit strømmende elektroner bliver dirigeret til en af siderne om en kileformet forhindring (en [[Elektrostatisk afbøjning|'afbøjer']]) på en af de to mulige veje, som svarer til en [[Binære talsystem|logisk '1' eller '0']].<ref>{{Cite web|url=http://www.rochester.edu/news/show.php?id=2585|title=Radical 'ballistic computing' chip bounces electrons like billiards|publisher=University of Rochester|accessdate=1. januar 2012}}</ref>
Fysik Videnskab Naturvidenskab