En teknik til at fremstillet gemanen på guldsubstrat ved lave temperaturer ved nulceations-kontrolleret guld-induceret krystallisering er også blevet rapporteret.<ref>{{Cite journal| doi = 10.1063/1.4819015 | issn = 00036951| volume = 103 | issue = 8 | pages = 082102| last1 = Park | first1 = Jong-Hyeok | first2= Tsuneharu |last2=Suzuki| last3 = Kurosawa | first3 = Masashi | last4 = Miyao | first4 = Masanobu | last5 = Sadoh | first5 = Taizoh| title = Nucleation-controlled gold-induced-crystallization for selective formation of Ge(100) and (111) on insulator at low-temperature (∼250 °C)| journal = Applied Physics Letters| access-date = 2014-09-11 | date = 2013-08-19| url = http://phys.org/news/2013-09-thin-germanium.html#nRlv| bibcode = 2013ApPhL.103h2102P}}</ref> Baseret på STM-målinger og DFT-beregninger er der også blevet rapporeret en mere forvrænget form for germanen på [[platin]].<ref>{{Cite journal| doi = 10.1002/adma.201400909 | pmid = 24841358 | issn = 09359648| volume = 26 | issue = 28 | pages = 4820–4824| last = Li | first = Linfei| author2 = Shuang-zan Lu | author3 =  Jinbo Pan | author4 =  Zhihui Qin | author5 =  Yu-qi Wang | author6 =  Yeliang Wang | author7 =  Geng-yu Cao | author8 =  Shixuan Du | author9 =  Hong-Jun Gao| title = Buckled Germanene Formation on Pt(111)| journal = Advanced Materials| access-date = 2014-09-11 | date = 2014-05-20| url = http://doi.wiley.com/10.1002/adma.201400909}} </ref><ref name=Lay2014 /> Epitaxial vækst af germanenkrystaller på [[Galliumarsenid|GaAs]] (100) er ligeledes blevet demonstreret og beregner indikerer at minimale interaktioner skulle gøre det muligt fjerne germanen let fra substratet.<ref>{{doi|10.1063/1.4830016}}</ref>
Fysik Kemi Kultur Teknologi