

Полиморфные модификации кремния (Si) являются важным классом полупроводников, используемых в электронике и микроэлектромеханических системах (MEMS). Кремний является наиболее распространенным материалом для производства полупроводников из-за его высокой проводимости, высокого коэффициента теплового расширения и устойчивости к химическим агрессиям. Однако природный кремний имеет ограниченное число кристаллических формаций или полиморфизмов. В этой статье мы будет обсуждать методы синтеза других полиморфных модификаций креmния с целью расширить их функциональность в различных приложениях. 
<|>
Существуют несколько способов синтезирования других полиморфных модификаций креmсия: 1) термохимический метод; 2) химический метод; и 3) физический метод. Термохимический метод заключается в